10月15日，萊普科技全國總部暨集成電路裝備研發(fā)制造基地項目在成都高新區(qū)成功舉行奠基儀式。
萊普科技全國總部暨集成電路裝備研發(fā)制造基地項目總投資16.6億元，占地面積39畝，建筑面積6.5萬平米。該項目于2023年10月開工建設，預計2025年5月前通過并聯(lián)并行竣工驗收，2026年5月全面達產(chǎn)。
萊普科技全國總部暨集成電路裝備研發(fā)制造基地項目（即成都萊普科技股份有限公司總部暨生產(chǎn)基地建設項目）包括企業(yè)全國總部、技術(shù)中心、制造中心、服務中心以及核心零部件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地，并將同步建設中科院半導體所成都半導體材料先進激光加工技術(shù)聯(lián)合實驗室及培訓基地、四川省全固態(tài)先進激光工程技術(shù)研究中心等項目。
“項目的落地將有力推動我國半導體領域激光裝備和技術(shù)的進步。在集成電路制造前道工藝創(chuàng)新、先進激光技術(shù)應用與系統(tǒng)集成、核心零部件自主可控、專業(yè)人才培養(yǎng)等方面產(chǎn)生積極作用?！比R普科技相關(guān)負責人表示。
