2025年3月30日舉行的武漢市集成電路產(chǎn)業(yè)招商對(duì)接會(huì)上，武漢經(jīng)開(kāi)區(qū)與芯連鑫（武漢）半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱芯連鑫半導(dǎo)體）正式簽約，“三維相變存儲(chǔ)器研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”正式啟動(dòng)。
據(jù)了解，該項(xiàng)目將在武漢經(jīng)開(kāi)區(qū)建設(shè)研發(fā)中心，項(xiàng)目聚焦于突破現(xiàn)有存儲(chǔ)技術(shù)瓶頸，專注于新型存儲(chǔ)器PCM的解決方案，在AI算力網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心、智能汽車領(lǐng)域等方面提供有力支撐。
行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)長(zhǎng)期由三星、美光等國(guó)外企業(yè)主導(dǎo)，盡管國(guó)內(nèi)企業(yè)在NAND閃存、DRAM芯片等領(lǐng)域取得突破，但現(xiàn)有技術(shù)仍無(wú)法滿足AI算力網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)景對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的綜合性能要求。
芯連鑫半導(dǎo)體有關(guān)負(fù)責(zé)人透露，其研發(fā)的PCM產(chǎn)品，通過(guò)材料創(chuàng)新和三維堆疊技術(shù)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)密度與速度的雙重突破。值得關(guān)注的是，作為武漢“光芯屏端網(wǎng)”產(chǎn)業(yè)集群的重要補(bǔ)充，項(xiàng)目不僅將配套開(kāi)發(fā)內(nèi)存控制芯片、智能網(wǎng)卡光模塊等關(guān)鍵器件，更計(jì)劃構(gòu)建從芯片設(shè)計(jì)到模組集成的完整產(chǎn)業(yè)鏈。
據(jù)悉，芯連鑫半導(dǎo)體已與廣西天山電子等企業(yè)建立戰(zhàn)略合作，其研發(fā)成果將率先應(yīng)用于AI服務(wù)器和車載智能系統(tǒng)。業(yè)內(nèi)人士分析，三維相變存儲(chǔ)器的產(chǎn)業(yè)化有望重構(gòu)現(xiàn)有存儲(chǔ)市場(chǎng)格局，為5G、元宇宙等前沿領(lǐng)域提供底層技術(shù)支撐。
