12月2日上午，晶湛半導體總部大樓建設項目奠基儀式在蘇州納米城舉行。
晶湛半導體致力于為高端光電、電力電子、微波射頻等領域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案，是園區(qū)自主培育、國內(nèi)首屈一指的第三代半導體氮化鎵外延材料領軍企業(yè)。自2012年成立后，公司于2014年便率先在全球發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片。十多年來，公司堅持加大研發(fā)投入、持續(xù)推動技術創(chuàng)新，目前已與全球數(shù)百家知名半導體科技企業(yè)、高?？蒲性核⒕o密合作關系，榮獲各級組織獎勵數(shù)十項，多次在行業(yè)頂級期刊Nature、國際頂級會議IEDM上發(fā)布創(chuàng)新成果，申請專利近400項，授權(quán)近百項。今年9月，晶湛全球首發(fā)12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，其核心技術填補了國內(nèi)空白，贏得了業(yè)內(nèi)廣泛關注。
據(jù)悉，晶湛半導體總部大樓位于納米城E地塊，百川街西，南蕩田巷北，廠房占地面積10999.92平方米，總建筑面積23443.27平方米。建成后，將成為國內(nèi)規(guī)模最大的GaN電力電子材料、射頻材料和微顯示材料的生產(chǎn)基地。
2006年，園區(qū)就搶抓機遇前瞻布局第三代半導體產(chǎn)業(yè)。經(jīng)“十年磨一劍”精耕細作，園區(qū)引進了中科院蘇州納米所等一批“國字號”科研院所，集聚了全國80%的氮化鎵國家級重點人才，參與了全國60%的氮化鎵國家標準制定，突破了一系列“卡脖子”技術，已成為國內(nèi)最具影響力的第三代半導體技術和產(chǎn)業(yè)高地。今年3月，園區(qū)獲批建設國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心，為進一步聚力創(chuàng)新、推進第三代半導體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展增添了強大動力。
