國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心研發(fā)與產業(yè)化基地在園區(qū)開工建設。據悉，該基地首期占地105畝，總建筑面積超20萬平方米，總投資超18億元，帶動投資預計超50億元，計劃2023年12月底竣工。作為園區(qū)打造第三代半導體產業(yè)集群和創(chuàng)新高地的重大基礎設施，該基地建成后，將與園區(qū)微納制造（MEMS）中試平臺形成緊密聯(lián)動，實現(xiàn)第三代半導體技術與微納制造等兩大細分領域相互促進的發(fā)展態(tài)勢。
去年3月，國家生物藥技術創(chuàng)新中心、國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心、國家新一代人工智能創(chuàng)新發(fā)展試驗區(qū)核心區(qū)三大國家級平臺落戶園區(qū)。“一區(qū)兩中心”的落地，是園區(qū)承擔國家戰(zhàn)略需要的又一次探索。當前，園區(qū)正深入貫徹蘇州市第十三次黨代會精神，加快“建設世界一流高科技園區(qū)、一流自貿試驗區(qū)，打造蘇州城市新中心”。此次開工的國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心研發(fā)與產業(yè)化基地，是園區(qū)整合資源、集中發(fā)力、協(xié)同攻關，全力推動第三代半導體產業(yè)再增新優(yōu)勢的實際行動。
該基地首期包括國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心、漢天下研發(fā)中心、東微半導體總部和鐳明激光總部等部分定建企業(yè)，將布局建設符合第三代半導體創(chuàng)新的3萬平方米高標準潔凈廠房和化學品庫、廢水處理站、110千伏電站等配套設施，以及8英寸BAW（體聲波）濾波器及射頻模組生產線，半導體高端激光研究中心，晶圓與器件性能測試研發(fā)工程中心等。建成后將加速推動第三代半導體材料、設備，以及研發(fā)、設計、生產、量產、封裝測試等創(chuàng)新鏈企業(yè)集聚發(fā)展，輻射集聚50到100家企業(yè)，有力支撐第三代半導體技術關鍵技術攻關和科技成果轉化。
此次開工，打響了園區(qū)“一區(qū)兩中心”新年建設第一槍。近年來，園區(qū)聚焦國家戰(zhàn)略需要，布局發(fā)展第三代半導體產業(yè)并全力構建產業(yè)創(chuàng)新生態(tài)。目前，在上游襯底及外延材料、中游芯片器件、下游封裝測試及集成應用等領域，培育了納維科技、晶湛半導體、漢天下、東微半導體、鐳明激光等一批領軍企業(yè)，形成了以“產品設計-晶圓制造-封裝測試”為核心，以關鍵設備、原材料、產業(yè)服務為支撐的半導體產業(yè)鏈。同時，在射頻微波、功率器件、新型顯示等細分領域擁有堅實的產業(yè)基礎，涌現(xiàn)出一批重大創(chuàng)新成果，部分關鍵核心技術在國際上處于并跑、領跑狀態(tài)，轄區(qū)高端人才、從業(yè)人員總量均居全國首位。
