10月25日上午，第五屆全國寬禁帶半導體學術會議在蘇州工業(yè)園區(qū)拉開序幕。
大會為期三天，將圍繞材料生長、分析表征、相關裝備技術，以及寬禁帶半導體在光電子、功率電子的應用，在前沿交叉領域的進展等主題展開交流探討，推動寬禁帶半導體材料與器件的學術研究、技術進步、產(chǎn)業(yè)發(fā)展，賦能第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。
大會吸引了來自科研院所、高校、行業(yè)領域相關企業(yè)的近700位專家、學者參會。中國科學院院士、北京大學教授甘子釗，中國科學院院士、南京大學教授鄭有炓，中國科學院院士、國家自然科學基金委信息學部主任、國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）主任郝躍，中國科學院院士、南昌大學教授江風益等參加會議。
郝躍在致辭中指出，當前正值全球半導體格局重塑的關鍵時期，而寬禁帶半導體正成為全球高技術競爭戰(zhàn)略制高點之一，也是國際半導體材料及設備領域研究和發(fā)展的熱點。通過此次大會，全國各地寬禁帶半導體領域的專家、學者和業(yè)界代表齊聚一堂，共同探討科學技術和產(chǎn)業(yè)方向，將有力促進寬禁帶半導體技術交流和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
全國寬禁帶半導體學術會議由中國電子學會和中國有色金屬學會共同主辦，每兩年一屆，迄今已在蘇州、西寧、西安、廈門舉辦四屆，會議規(guī)模和影響力不斷增強，已成為國內(nèi)寬禁帶半導體領域的學術盛會。
本屆大會由蘇州實驗室、國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所共同承辦。大會在短短兩周內(nèi)收到300余份摘要，經(jīng)組委會討論，共推選出11個大會報告，在四個主題方向上共選出63個分會特邀報告，87個口頭報告，現(xiàn)場還有120個張貼報告，將聚焦寬禁帶半導體領域?qū)W術與產(chǎn)業(yè)方向，展開深入交流。
在大會報告環(huán)節(jié)，相關專家圍繞《寬禁帶半導體光電子器件》《深紫外LED研究進展》《氮化鎵晶體的生長、缺陷與性能》等主題展開分享。大會分會場則圍繞“材料生長、表征與裝備”、“光電子器件與應用”、“功率電子器件與應用”、“超寬禁帶半導體與前沿交叉”等內(nèi)容進行探討。
作為國內(nèi)較早布局第三代半導體產(chǎn)業(yè)的區(qū)域，園區(qū)近年來推出“組合拳”舉措，持續(xù)提高在第三代半導體領域的科技創(chuàng)新能力，擴大國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心蘇州平臺的行業(yè)影響力。今年以來，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）的建設穩(wěn)步推進，在體制機制建設、關鍵核心技術攻關、高層次人才引進、重大公共平臺建設、協(xié)同創(chuàng)新網(wǎng)絡布局、創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)生態(tài)營造等方面取得豐碩成果。
